finfet和euv 14nmlpefinfet

最后更新 : 2021.01.09  

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最近,电信研究所和硅质料国家重点实验室的赵毅教授关于先进手艺节点14nm finfet()器件的论文被电子器件国际集会IEDM()接受。本事情接纳皮秒脉冲电流-电压扫描手艺,直接研究器件在启动和事情时的自热效应,及其对器件可靠性的影响。IEDM是微电子领域的顶级集会,已有60多年的历史,在国际半导体手艺领域享有很高的学术职位和普遍的影响。集会将于12月2日至6日在美国旧金山举行。

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为了进一步减小电子器件的尺寸,半导体行业引入了14纳米的三维鳍场效应晶体管(fin场效应晶体管),以制造逻辑开关器件。与传统硅基器件优越的导热性差别,这种特殊的结构会使晶体管事情时沟道电流发生的热量不停积累,器件的事情温度会升高,导致器件性能下降。在更先进的手艺节点下,自热效应被认为是未来10纳米的要害难点。在确立世界上最快的电特征表征系统的基础上,赵毅教授课题组行使皮秒脉冲电流-电压扫描手艺乐成捕捉到了晶体管发热和散热过程中漏极电流的转变,并评估了自热效应对电路中晶体管器件热载流子注入效应的影响。收到本文,解释课题组近年来在器件快速测试手艺和先进集成电路器件的深入研究方面取得了一定的功效,得到了国内外偕行的认可和重视。本文的第一作者是瞿,博士生。这是赵毅教授的研究组延续第二年在国际电子器件集会(IEDM)上揭晓论文,标志着研究组研究实力的提高。

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